Referans normatif ki aplike pa Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co nan pwodiksyon an nan dyòd soude yo te nan sa yo:
1. GB/T 4023—1997 Aparèy Disrè nan Aparèy Semiconductor ak sikwi entegre Pati 2: Dyòd redresman
2. GB/T 4937-1995 Metòd tès mekanik ak klimatik pou aparèy semi-kondiktè
3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Aparèy - Modèl Metòd
4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Aparèy anbalaj
5. JB/T 7624-1994 redresman Dyòd tès metòd
Modèl ak gwosè
1. Non modèl: Modèl dyòd soude a refere a règleman JB/T 2423-1999, epi siyifikasyon chak pati nan modèl la montre nan Figi 1 anba a:
2. Senbòl grafik ak idantifikasyon tèminal (sub).
Senbòl grafik ak idantifikasyon tèminal yo montre nan Figi 2, flèch la montre tèminal katod la.
3. Fòm ak enstalasyon dimansyon
Fòm nan dyod la soude se konvèks ak kalite disk, ak fòm nan ak gwosè ta dwe satisfè kondisyon ki nan Figi 3 ak Tablo 1.
| Atik | Dimansyon (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Bride katod (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Katod ak anod Mesa (D1) | 44±0.2 | 57±0.2 | 68±0.2 |
| Maksimòm dyamèt bag seramik (D2max) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Epesè total (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Twou pozisyon mòn | Dyamèt twou: φ3.5±0.2mm, Pwofondè twou: 1.5±0.3mm | ||
Evalyasyon ak karakteristik
1. Nivo paramèt
Seri vòltaj pik repetitif ranvèse (VRRM) jan sa espesifye nan Tablo 2
Tablo 2 Nivo Voltage
| VRRM（V） | 200 | 400 |
| Nivo | 02 | 04 |
2. Valè limit
Valè limit yo dwe konfòme yo ak Tablo 3 epi yo dwe aplike nan tout seri tanperati opere.
Tablo 3 Valè Limit
| Valè limit | Senbòl | Inite | Valè | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Tanperati ka a | Tcase | ℃ | -40~85 | |||
| Tanperati junction ekivalan (max) | T（vj） | ℃ | 170 | |||
| Tanperati depo | Tstg | ℃ | -40～170 | |||
| Repetitif vòltaj ranvèse pik (max) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Ranvèse vòltaj pik ki pa repetitif (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Kouran mwayèn avanse (max) | IF（AV） | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Pou pi devan (ki pa repete) vag aktyèl (max) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| mwen²t (max) | Mwen pa | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Fòs monte | F | kN | 22～24 | 30~35 | 45~50 | 52～57 |
3. Valè karakteristik yo
Tablo 4 Max valè karakteristik yo
| Karaktè ak kondisyon | Senbòl | Inite | Valè | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Pi devan vòltaj pikIFM= 5000A, Tj= 25 ℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Ranvèse kouran pik repetitif Tj= 25 ℃, Tj= 170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Rezistans tèmik Junction-a-ka | Rjc | ℃/W | 0.01 | 0.006 | 0.004 | 0.004 |
| Remak: pou kondisyon espesyal tanpri konsilte | ||||||
Ladyòd soudeki te pwodwi pa Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor se lajman aplike nan soude rezistans, mwayen ak segondè frekans soude machin jiska 2000Hz oswa pi wo.Avèk yon vòltaj pik ultra-ba pou pi devan, ultra-ba rezistans tèmik, eta nan teknoloji fabrikasyon atizay, kapasite ekselan sibstitisyon ak pèfòmans ki estab pou itilizatè mondyal yo, dyòd soude soti nan Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor se youn nan aparèy ki pi serye nan pouvwa Lachin. pwodwi semi-conducteurs.
Tan poste: Jun-14-2023