Press-Pake IGBT
Pak pake IGBT (IEGT)
| TIP | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A/µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
Remak:D- avèk dpati iòd, A-san pati dyod
Konvansyonèl, modil IGBT kontak soude yo te aplike nan Kovèti pou switch nan sistèm transmisyon fleksib DC.Pake modil la se yon sèl bò chalè dissipation.Kapasite pouvwa a nan aparèy limite epi li pa apwopriye yo dwe konekte nan seri, pòv lavi nan lè sèl, pòv Vibration anti-chòk oswa fatig tèmik.
Nouvo kalite laprès-kontak gwo-pouvwa laprès-pake IGBT aparèy la pa sèlman konplètman rezoud pwoblèm yo nan pòs vid nan pwosesis soude, fatig tèmik nan materyèl soude ak efikasite ki ba nan dissipation chalè sèl-sided, men tou elimine rezistans nan tèmik ant divès konpozan, minimize gwosè a ak pwa.Ak anpil amelyore efikasite k ap travay ak fyab aparèy IGBT.Li trè apwopriye pou satisfè kondisyon wo-pouvwa, wo-vòltaj, segondè-fyab nan sistèm transmisyon fleksib DC la.
Ranplasman nan kalite kontak soude pa peze-pake IGBT se enperatif.
Depi 2010, Runau Elektwonik yo te elabore pou devlope nouvo kalite aparèy IGBT pou laprès ak reyisi pwodiksyon an nan 2013. Pèfòmans lan te sètifye pa kalifikasyon nasyonal ak reyalizasyon dènye kri yo te konplete.
Koulye a, nou ka fabrike epi bay seri IGBT pou laprès nan seri IC nan 600A a 3000A ak seri VCES nan 1700V a 6500V.Yon pwospè sipè nan IGBT pou laprès-pake te fè nan peyi Lachin yo dwe aplike nan Lachin fleksib DC transmisyon sistèm trè espere epi li pral vin yon lòt wòch mil nan klas mondyal nan endistri elektwonik pouvwa Lachin apre gwo vitès tren elektrik.
Entwodiksyon kout nan mòd tipik:
1. Mode: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Karakteristik elektrik apre anbalaj ak peze
● Ranvèseparalèlkonektedyòd rekiperasyon rapidkonkli
● Paramèt:
Valè nominale (25 ℃)
a.Voltaj emetè pèseptè: VGES = 1700（V）
b.Vòltaj emetè pòtay: VCES=±20（V）
c.Kouran pèseptè: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Dissipasyon pouvwa pèseptè: PC = 4440（W）
e.Tanperati Junction travay: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Tanperati Depo: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Remake byen: aparèy la pral domaje si pi lwen pase valè nominal
ElektrikCkarakteristik yo, TC＝125℃，Rth (rezistans tèmik nanjunction pouka）pa enkli
a.Kouran flit pòtay: IGES = ±5（μA）
b.Emetè pèseptè bloke aktyèl ICES = 250（mA）
c.Voltaj saturation emetè pèseptè: VCE(sat)=6(V)
d.Pòtay Emetè Limit Voltage: VGE (th) = 10 (V)
e.Vire sou tan: Tòn = 2.5μs
f.Etenn tan: Toff = 3μs
2. Mode: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Karakteristik elektrik apre anbalaj ak peze
● Ranvèseparalèlkonektedyòd rekiperasyon rapidkonkli
● Paramèt:
Valè nominale (25 ℃)
a.Voltaj emetè pèseptè: VGES = 2500（V）
b.Vòltaj emetè pòtay: VCES=±20（V）
c.Kouran pèseptè: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Dissipasyon pouvwa pèseptè: PC = 4800（W）
e.Tanperati Junction travay: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Tanperati Depo: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Remake byen: aparèy la pral domaje si pi lwen pase valè nominal
ElektrikCkarakteristik yo, TC＝125℃，Rth (rezistans tèmik nanjunction pouka）pa enkli
a.Kouran flit pòtay: IGES = ± 15（μA）
b.Emetè pèseptè bloke aktyèl ICES = 25（mA）
c.Voltaj saturation emetè pèseptè: VCE(sat)=3.2 (V)
d.Gate Emetteur Limit Voltage: VGE (th) = 6.3 (V)
e.Vire sou tan: Tòn = 3.2μs
f.Etenn tan: Toff = 9.8μs
g.Dyòd pi devan vòltaj: VF = 3.2 V
h.Dyòd ranvèse Recovery Tan: Trr = 1.0 μs
3. Mode: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Karakteristik elektrik apre anbalaj ak peze
● Ranvèseparalèlkonektedyòd rekiperasyon rapidkonkli
● Paramèt:
Valè nominale (25 ℃)
a.Voltaj emetè pèseptè: VGES = 4500（V）
b.Vòltaj emetè pòtay: VCES=±20（V）
c.Kouran pèseptè: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Dissipasyon pouvwa pèseptè: PC = 7700（W）
e.Tanperati Junction travay: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Tanperati Depo: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Remake byen: aparèy la pral domaje si pi lwen pase valè nominal
ElektrikCkarakteristik yo, TC＝125℃，Rth (rezistans tèmik nanjunction pouka）pa enkli
a.Kouran flit pòtay: IGES = ± 15（μA）
b.Emetè pèseptè bloke aktyèl ICES = 50（mA）
c.Voltaj saturation emetè pèseptè: VCE(sat)=3.9 (V)
d.Pòtay Emetè Limit Voltage: VGE (th) = 5.2 (V)
e.Vire sou tan: Tòn = 5.5μs
f.Etenn tan: Toff = 5.5μs
g.Dyòd pi devan vòltaj: VF = 3.8 V
h.Dyòd ranvèse Recovery Tan: Trr = 2.0 μs
Remak:Près-pake IGBT se avantaj nan alontèm segondè fyab mekanik, segondè rezistans nan domaj ak karakteristik sa yo nan laprès la konekte estrikti, se pratik yo dwe anplwaye nan aparèy seri, ak konpare ak tiristor GTO tradisyonèl la, IGBT se metòd vòltaj-kondwi. .Se poutèt sa, li se fasil yo opere, san danje ak lajè ranje opere.