Redresman Dyòd Chip
Redresman Dyòd Chip
Chip dyòd redresman ki te fabrike pa RUNAU Elektwonik te orijinèlman prezante pa estanda pwosesis GE ak teknoloji ki konfòme ak estanda aplikasyon USA ak kalifye pa kliyan atravè lemond.Li prezante nan karakteristik rezistans fò tèmik fatig, lavi sèvis long, vòltaj segondè, gwo aktyèl, fò adaptabilite anviwònman, elatriye Chak chip teste nan TJM, enspeksyon o aza se entèdi pa pèmèt.Seleksyon konsistans nan paramèt chips yo disponib pou bay selon kondisyon aplikasyon an.
Paramèt:
| Dyamèt mm | Epesè mm | Voltage V | Katod Out Dia. mm | Tjm ℃ |
| 17 | 1.5±0.1 | ≤2600 | 12.5 | 150 |
| 23.3 | 1.95±0.1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 23.3 | 2.15±0.1 | 4200-5500 | 16.5 | 150 |
| 24 | 1.5±0.1 | ≤2600 | 18.5 | 150 |
| 25.4 | 1.4-1.7 | ≤3500 | 19.5 | 150 |
| 29.72 | 1.95±0.1 | ≤2600 | 25 | 150 |
| 29.72 | 1.9-2.3 | 2800-5500 | 23 | 150 |
| 32 | 1.9±0.1 | ≤2200 | 27.5 | 150 |
| 32 | 2±0.1 | 2400-2600 | 26.3 | 150 |
| 35 | 1.8-2.1 | ≤3500 | 29 | 150 |
| 35 | 2.2±0.1 | 3600-5000 | 27.5 | 150 |
| 36 | 2.1±0.1 | ≤2200 | 31 | 150 |
| 38.1 | 1.9±0.1 | ≤2200 | 34 | 150 |
| 40 | 1.9-2.2 | ≤3500 | 33.5 | 150 |
| 40 | 2.2-2.5 | 3600-6500 | 31.5 | 150 |
| 45 | 2.3±0.1 | ≤3000 | 39.5 | 150 |
| 45 | 2.5±0.1 | 3600-4500 | 37.5 | 150 |
| 50.8 | 2.4-2.7 | ≤4000 | 43.5 | 150 |
| 50.8 | 2.8±0.1 | 4200-5000 | 41.5 | 150 |
| 55 | 2.4-2.8 | ≤4500 | 47.7 | 150 |
| 55 | 2.8-3.1 | 5200-6500 | 44.5 | 150 |
| 63.5 | 2.6-3.0 | ≤4500 | 56.5 | 150 |
| 63.5 | 3.0-3.3 | 5200-6500 | 54.5 | 150 |
| 70 | 2.9-3.1 | ≤3200 | 63.5 | 150 |
| 70 | 3.2±0.1 | 3400-4500 | 62 | 150 |
| 76 | 3.4-3.8 | ≤4500 | 68.1 | 150 |
| 89 | 3.9-4.3 | ≤4500 | 80 | 150 |
| 99 | 4.4-4.8 | ≤4500 | 89.7 | 150 |
spesifikasyon teknik:
RUNAU Elektwonik bay bato semi-conducteurs pouvwa nan dyod redresman ak dyod soude.
1. Ba vòltaj sou-eta gout
2. metalizasyon an lò yo pral aplike pou amelyore pwopriyete a kondiktif ak chalè dissipation.
3. doub kouch pwoteksyon mesa
Konsèy:
1. Yo nan lòd yo rete pi bon pèfòmans, chip la dwe estoke nan kondisyon nitwojèn oswa vakyòm pou anpeche chanjman nan vòltaj ki te koze pa oksidasyon ak imidite nan moso molybdène.
2. Toujou kenbe sifas chip la pwòp, tanpri mete gan epi pa manyen chip la ak men fè.
3. Opere ak anpil atansyon nan pwosesis pou yo itilize.Pa domaje sifas kwen résine chip la ak kouch aliminyòm nan zòn poto pòtay la ak katod.
4. Nan tès oswa ankapsulasyon, tanpri sonje ke paralelis la, platite ak kranpon fòs aparèy la dwe kowenside ak estanda yo espesifye.Paralelism pòv pral lakòz presyon inegal ak domaj chip pa fòs.Si depase fòs kranpon enpoze, chip la pral domaje fasil.Si fòs kranpon enpoze a twò piti, kontak pòv la ak dissipation chalè pral afekte aplikasyon an.
5. Blòk presyon an kontak ak sifas katod chip la dwe rkwit
Rekòmande Clamp Force
| Chips Size | Clamp Force Rekòmandasyon |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 oswa Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 oswa Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |