Chip tiristor

Deskripsyon kout:

Pwodwi detay:

Estanda:

•Yo teste chak chip nan TJM , enspeksyon o aza entèdi entèdi.

•Excellent konsistans nan paramèt chips yo

 

Karakteristik:

•Low sou-eta vòltaj gout

•Strong tèmik fatig rezistans

•Epesè kouch aliminyòm katod se pi wo pase 10µm

•Double kouch pwoteksyon sou mesa


Pwodwi detay

Tags pwodwi

Runau Fast switch thyristor chip 3

Chip tiristor

Chip thyristor ki te fabrike pa RUNAU Elektwonik te orijinal prezante pa estanda pwosesis GE ak teknoloji ki konfòme ak estanda aplikasyon USA ak kalifye pa kliyan atravè lemond.Li prezante nan karakteristik rezistans fò tèmik fatig, lavi sèvis long, vòltaj segondè, gwo aktyèl, fò adaptabilite anviwònman an, elatriye. Nan 2010, RUNAU Elektwonik devlope nouvo modèl nan chip tiristor ki konbine avantaj tradisyonèl GE ak teknoloji Ewopeyen an, pèfòmans lan ak efikasite yo te optimize anpil.

Paramèt:

Dyamèt
mm
Epesè
mm
Voltage
V
Gate Dia.
mm
Katod Inner Dia.
mm
Katod Out Dia.
mm
Tjm
25.4 1.5±0.1 ≤2000 2.5 5.6 20.3 125
25.4 1.6-1.8 2200-3500 2.6 5.6 15.9 125
29.72 2±0.1 ≤2000 3.3 7.7 24.5 125
32 2±0.1 ≤2000 3.3 7.7 26.1 125
35 2±0.1 ≤2000 3.8 7.6 29.1 125
35 2.1-2.4 2200-4200 3.8 7.6 24.9 125
38.1 2±0.1 ≤2000 3.3 7.7 32.8 125
40 2±0.1 ≤2000 3.3 7.7 33.9 125
40 2.1-2.4 2200-4200 3.5 8.1 30.7 125
45 2.3±0.1 ≤2000 3.6 8.8 37.9 125
50.8 2.5±0.1 ≤2000 3.6 8.8 43.3 125
50.8 2.6-2.9 2200-4200 3.8 8.6 41.5 125
50.8 2.6-2.8 2600-3500 3.3 7 41.5 125
55 2.5±0.1 ≤2000 3.3 8.8 47.3 125
55 2.5-2.9 ≤4200 3.8 8.6 45.7 125
60 2.6-3.0 ≤4200 3.8 8.6 49.8 125
63.5 2.7-3.1 ≤4200 3.8 8.6 53.4 125
70 3.0-3.4 ≤4200 5.2 10.1 59.9 125
76 3.5-4.1 ≤4800 5.2 10.1 65.1 125
89 4-4.4 ≤4200 5.2 10.1 77.7 125
99 4.5-4.8 ≤3500 5.2 10.1 87.7 125

 

spesifikasyon teknik:

RUNAU Elektwonik bay bato semi-conducteurs pouvwa nan tiristor kontwole faz ak tiristor switch rapid.

1. Ba vòltaj sou-eta gout

2. Epesè kouch aliminyòm se plis pase 10 mikron

3. doub kouch pwoteksyon mesa

 

Konsèy:

1. Yo nan lòd yo rete pi bon pèfòmans, chip la dwe estoke nan kondisyon nitwojèn oswa vakyòm pou anpeche chanjman nan vòltaj ki te koze pa oksidasyon ak imidite nan moso molybdène.

2. Toujou kenbe sifas chip la pwòp, tanpri mete gan epi pa manyen chip la ak men fè.

3. Opere ak anpil atansyon nan pwosesis pou yo itilize.Pa domaje sifas kwen résine chip la ak kouch aliminyòm nan zòn poto pòtay la ak katod.

4. Nan tès oswa ankapsulasyon, tanpri sonje ke paralelis la, platite ak kranpon fòs aparèy la dwe kowenside ak estanda yo espesifye.Paralelism pòv pral lakòz presyon inegal ak domaj chip pa fòs.Si depase fòs kranpon enpoze, chip la pral domaje fasil.Si fòs kranpon enpoze a twò piti, kontak pòv la ak dissipation chalè pral afekte aplikasyon an.

5. Blòk presyon an kontak ak sifas katod chip la dwe rkwit

 Rekòmande Clamp Force

Chips Size Clamp Force Rekòmandasyon
(KN)±10%
Φ25.4 4
Φ30 oswa Φ30.48 10
Φ35 13
Φ38 oswa Φ40 15
Φ50.8 24
Φ55 26
Φ60 28
Φ63.5 30
Φ70 32
Φ76 35
Φ85 45
Φ99 65

  • Previous:
  • Pwochen:

  • Ekri mesaj ou la a epi voye l ba nou