Chip tiristor
Chip tiristor
Chip thyristor ki te fabrike pa RUNAU Elektwonik te orijinal prezante pa estanda pwosesis GE ak teknoloji ki konfòme ak estanda aplikasyon USA ak kalifye pa kliyan atravè lemond.Li prezante nan karakteristik rezistans fò tèmik fatig, lavi sèvis long, vòltaj segondè, gwo aktyèl, fò adaptabilite anviwònman an, elatriye. Nan 2010, RUNAU Elektwonik devlope nouvo modèl nan chip tiristor ki konbine avantaj tradisyonèl GE ak teknoloji Ewopeyen an, pèfòmans lan ak efikasite yo te optimize anpil.
Paramèt:
| Dyamèt mm | Epesè mm | Voltage V | Gate Dia. mm | Katod Inner Dia. mm | Katod Out Dia. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1.5±0.1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1.6-1.8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2.3±0.1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2.5±0.1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41.5 | 125 |
| 50.8 | 2.6-2.8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41.5 | 125 |
| 55 | 2.5±0.1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2.5-2.9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45.7 | 125 |
| 60 | 2.6-3.0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49.8 | 125 |
| 63.5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3.0-3.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77.7 | 125 |
| 99 | 4.5-4.8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87.7 | 125 |
spesifikasyon teknik:
RUNAU Elektwonik bay bato semi-conducteurs pouvwa nan tiristor kontwole faz ak tiristor switch rapid.
1. Ba vòltaj sou-eta gout
2. Epesè kouch aliminyòm se plis pase 10 mikron
3. doub kouch pwoteksyon mesa
Konsèy:
1. Yo nan lòd yo rete pi bon pèfòmans, chip la dwe estoke nan kondisyon nitwojèn oswa vakyòm pou anpeche chanjman nan vòltaj ki te koze pa oksidasyon ak imidite nan moso molybdène.
2. Toujou kenbe sifas chip la pwòp, tanpri mete gan epi pa manyen chip la ak men fè.
3. Opere ak anpil atansyon nan pwosesis pou yo itilize.Pa domaje sifas kwen résine chip la ak kouch aliminyòm nan zòn poto pòtay la ak katod.
4. Nan tès oswa ankapsulasyon, tanpri sonje ke paralelis la, platite ak kranpon fòs aparèy la dwe kowenside ak estanda yo espesifye.Paralelism pòv pral lakòz presyon inegal ak domaj chip pa fòs.Si depase fòs kranpon enpoze, chip la pral domaje fasil.Si fòs kranpon enpoze a twò piti, kontak pòv la ak dissipation chalè pral afekte aplikasyon an.
5. Blòk presyon an kontak ak sifas katod chip la dwe rkwit
Rekòmande Clamp Force
| Chips Size | Clamp Force Rekòmandasyon |
| （KN）±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 oswa Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 oswa Φ40 | 15 |
| Φ50.8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63.5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |